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SiB433EDK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
1.5
1.2
10-2
10-3
0.9
0.6
T J = 25 °C
10-4
10-5
10-6
T J = 150 °C
T J = 25 °C
10-7
0.3
10- 8
0.0
0
3 6 9 12
15
10-9
0
3
6
9
12
15
20
16
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Gate Current vs. Gate-Source Voltage
V GS = 5 V thr u 2.5 V
10
8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Gate Current vs. Gate-Source Voltage
12
8
4
V GS = 2 V
V GS = 1.5 V
6
4
2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
V GS = 1 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.4 0. 8
1.2 1.6
2.0
0.1 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 1. 8 V
8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.15
6
I D = 5.3 A
V DS = 10 V
0.12
0.09
V GS = 2.5 V
4
V DS = 5 V
V DS = 16 V
0.06
V GS = 4.5 V
2
0.03
0.00
0
0
4
8
12
16
20
0
3
6 9 12
15
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65652
S12-0979-Rev. B, 30-Apr-12
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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